0 0 0
  8. IXTH32P20T

Транзисторы с каналом P THT IXTH32P20T

 
IXTH32P20T
 
IXYS
Артикул: 141139
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -32А; 300Вт; 190нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
663.46 грн
2+
531.24 грн
3+
530.45 грн
6+
502.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Час готовності
190нс(1705688)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-32А(1643119)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
185нКл(1743003)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,305 g
 
Транзисторы с каналом P THT IXTH32P20T
IXYS
Артикул: 141139
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -32А; 300Вт; 190нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
663.46 грн
2+
531.24 грн
3+
530.45 грн
6+
502.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Час готовності
190нс
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-32А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
185нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,305 g