0 0 0
  8. IXTP10P15T

Транзистори з каналом P THT IXTP10P15T

 
IXTP10P15T
 
IXYS
Артикул: 141157
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -10А; 83Вт; 120нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.24 грн
3+
175.43 грн
7+
159.55 грн
18+
150.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Час готовності
120нс(1737097)
Напруга сток-джерело
-150В(1478961)
Струм стока
-10А(1479026)
Опір в стані провідності
0,35Ом(1492258)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
36нКл(1479151)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,077 g
 
Транзистори з каналом P THT IXTP10P15T
IXYS
Артикул: 141157
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -10А; 83Вт; 120нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.24 грн
3+
175.43 грн
7+
159.55 грн
18+
150.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Час готовності
120нс
Напруга сток-джерело
-150В
Струм стока
-10А
Опір в стані провідності
0,35Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
36нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,077 g