0 0 0
  8. IXTP140P05T

Транзисторы с каналом P THT IXTP140P05T

 
IXTP140P05T
 
IXYS
Артикул: 141160
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
519.43 грн
3+
371.47 грн
8+
351.80 грн
500+
347.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Час готовності
53нс(1614698)
Напруга сток-джерело
-50В(1441470)
Струм стока
-140А(1635152)
Опір в стані провідності
9мОм(1479207)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
298Вт(1742077)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
200нКл(1479291)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,057 g
 
Транзисторы с каналом P THT IXTP140P05T
IXYS
Артикул: 141160
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
519.43 грн
3+
371.47 грн
8+
351.80 грн
500+
347.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Час готовності
53нс
Напруга сток-джерело
-50В
Струм стока
-140А
Опір в стані провідності
9мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
298Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
200нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,057 g