0 0 0
  8. IXTP18P10T

Транзистори з каналом P THT IXTP18P10T

 
IXTP18P10T
 
IXYS
Артикул: 141162
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; 62нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
131.43 грн
3+
117.27 грн
10+
106.25 грн
26+
100.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 251 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Час готовності
62нс(1739731)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-18А(1478982)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
39нКл(1479127)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,064 g
 
Транзистори з каналом P THT IXTP18P10T
IXYS
Артикул: 141162
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; 62нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
131.43 грн
3+
117.27 грн
10+
106.25 грн
26+
100.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 251 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Час готовності
62нс
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-18А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
39нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,064 g