0 0 0
  8. IXTP26P10T

Транзисторы с каналом P THT IXTP26P10T

 
IXTP26P10T
 
IXYS
Артикул: 141164
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -26А; 150Вт; 70нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
253.42 грн
3+
228.24 грн
6+
182.59 грн
16+
172.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 35 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Час готовності
70нс(1737472)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-26А(1743771)
Опір в стані провідності
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52нКл(1479036)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,075 g
 
Транзисторы с каналом P THT IXTP26P10T
IXYS
Артикул: 141164
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -26А; 150Вт; 70нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
253.42 грн
3+
228.24 грн
6+
182.59 грн
16+
172.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 35 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Час готовності
70нс
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-26А
Опір в стані провідності
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,075 g