0 0 0
  8. IXTP52P10P

Транзисторы с каналом P THT IXTP52P10P

 
IXTP52P10P
 
IXYS
Артикул: 141172
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; 120нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
444.67 грн
3+
399.81 грн
4+
320.32 грн
9+
302.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Час готовності
120нс(1737097)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-52А(1714009)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
60нКл(1479310)
Технологія
PolarP™(1743214)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,05 g
 
Транзисторы с каналом P THT IXTP52P10P
IXYS
Артикул: 141172
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; 120нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
444.67 грн
3+
399.81 грн
4+
320.32 грн
9+
302.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Час готовності
120нс
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-52А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
60нКл
Технологія
PolarP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,05 g