0 0 0
  8. IXTP60N10T

Транзистори з каналом N THT IXTP60N10T

 
IXTP60N10T
 
IXYS
Артикул: 079661
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
150.19 грн
3+
135.81 грн
10+
108.65 грн
26+
103.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 59 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Час готовності
59нс(1758397)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
176Вт(1740764)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
49нКл(1479032)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,062 g
 
Транзистори з каналом N THT IXTP60N10T
IXYS
Артикул: 079661
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
150.19 грн
3+
135.81 грн
10+
108.65 грн
26+
103.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 59 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Час готовності
59нс
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
176Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
49нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,062 g