0 0 0
  8. IXTQ10P50P

Транзисторы с каналом P THT IXTQ10P50P

 
IXTQ10P50P
 
IXYS
Артикул: 141175
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO3P
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
449.39 грн
3+
371.47 грн
8+
351.01 грн
30+
337.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 104 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948)
Час готовності
414нс(1743767)
Напруга сток-джерело
-500В(1492282)
Струм стока
-10А(1479026)
Опір в стані провідності
1Ом(1441391)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Технологія
PolarP™(1743214)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,27 g
 
Транзисторы с каналом P THT IXTQ10P50P
IXYS
Артикул: 141175
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO3P
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
449.39 грн
3+
371.47 грн
8+
351.01 грн
30+
337.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 104 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Час готовності
414нс
Напруга сток-джерело
-500В
Струм стока
-10А
Опір в стані провідності
1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
50нКл
Технологія
PolarP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,27 g