0 0 0
  8. IXTR120P20T

Транзисторы с каналом P THT IXTR120P20T

 
IXTR120P20T
 
IXYS
Артикул: 141180
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -90А; 595Вт; 300нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 095.83 грн
2+
1 981.71 грн
30+
1 937.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ISOPLUS247™(1497066)
Час готовності
300нс(1440076)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-90А(1643878)
Опір в стані провідності
32мОм(1441272)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
595Вт(1741809)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
740нКл(1743013)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,83 g
 
Транзисторы с каналом P THT IXTR120P20T
IXYS
Артикул: 141180
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -90А; 595Вт; 300нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 095.83 грн
2+
1 981.71 грн
30+
1 937.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
ISOPLUS247™
Час готовності
300нс
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-90А
Опір в стані провідності
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
595Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
740нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,83 g