0 0 0
  8. IXTT110N10P

Транзисторы с каналом N SMD IXTT110N10P

 
IXTT110N10P
 
IXYS
Артикул: 077178
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
520.22 грн
3+
416.33 грн
7+
393.51 грн
30+
384.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Час готовності
130нс(1695194)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
110А(1479508)
Опір в стані провідності
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
480Вт(1741831)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
PolarHT™(1740479)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,055 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTT110N10P
IXYS
Артикул: 077178
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
520.22 грн
3+
416.33 грн
7+
393.51 грн
30+
384.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Час готовності
130нс
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
110А
Опір в стані провідності
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
480Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нКл
Технологія
PolarHT™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,055 g