0 0 0
  8. IXTT1N300P3HV

Транзистори з каналом N SMD IXTT1N300P3HV

 
IXTT1N300P3HV
 
IXYS
Артикул: 077189
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 3кВ; 1А; 195Вт; TO268HV; 1,8мкс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 419.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Час готовності
1,8мкс(1497089)
Напруга сток-джерело
3кВ(1758437)
Струм стока
1А(1441586)
Опір в стані провідності
50Ом(1441355)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
195Вт(1741754)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
standard power mosfet(1758416)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTT1N300P3HV
IXYS
Артикул: 077189
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 3кВ; 1А; 195Вт; TO268HV; 1,8мкс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 419.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Час готовності
1,8мкс
Напруга сток-джерело
3кВ
Струм стока
1А
Опір в стані провідності
50Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
195Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
standard power mosfet
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g