0 0 0
  8. IXTT3N200P3HV

Транзистори з каналом N SMD IXTT3N200P3HV

 
IXTT3N200P3HV
 
IXYS
Артикул: 077203
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 2кВ; 3А; 520Вт; TO268HV; 420нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 100.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Час готовності
420нс(1747345)
Напруга сток-джерело
2кВ(1758433)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
8Ом(1441548)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
standard power mosfet(1758416)
Заряд затвора
70нКл(1479303)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTT3N200P3HV
IXYS
Артикул: 077203
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 2кВ; 3А; 520Вт; TO268HV; 420нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 100.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Час готовності
420нс
Напруга сток-джерело
2кВ
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
standard power mosfet
Заряд затвора
70нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g