0 0 0
  8. IXTT500N04T2

Транзистори з каналом N SMD IXTT500N04T2

 
IXTT500N04T2
 
IXYS
Артикул: 077208
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 500А; 1000Вт; TO268; 84нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 124.07 грн
2+
805.45 грн
3+
804.68 грн
4+
761.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Час готовності
84нс(1745630)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
500А(1714526)
Опір в стані провідності
1,6мОм(1479601)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1кВт(1701923)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
405нКл(1758385)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTT500N04T2
IXYS
Артикул: 077208
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 500А; 1000Вт; TO268; 84нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 124.07 грн
2+
805.45 грн
3+
804.68 грн
4+
761.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Час готовності
84нс
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
500А
Опір в стані провідності
1,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1кВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
405нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g