0 0 0
  8. IXTT90P10P

Транзистори з каналом P SMD IXTT90P10P

 
IXTT90P10P
 
IXYS
Артикул: 140849
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -90А; 462Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
898.58 грн
2+
712.83 грн
3+
712.04 грн
4+
673.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Час готовності
144нс(1743784)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-90А(1643878)
Опір в стані провідності
25мОм(1441552)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
462Вт(1743781)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Технологія
PolarP™(1743214)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,05 g
 
Транзистори з каналом P SMD IXTT90P10P
IXYS
Артикул: 140849
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -90А; 462Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
898.58 грн
2+
712.83 грн
3+
712.04 грн
4+
673.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Час готовності
144нс
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-90А
Опір в стані провідності
25мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
462Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,12мкКл
Технологія
PolarP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,05 g