0 0 0
  8. IXTX120P20T

Транзистори з каналом P THT IXTX120P20T

 
IXTX120P20T
 
IXYS
Артикул: 141192
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -120А; 1040Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 939.25 грн
2+
1 833.68 грн
10+
1 830.50 грн
30+
1 762.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 28 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS247™(1692687)
Час готовності
300нс(1440076)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-120А(1743769)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,04кВт(1742092)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
740нКл(1743013)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,945 g
 
Транзистори з каналом P THT IXTX120P20T
IXYS
Артикул: 141192
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -120А; 1040Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 939.25 грн
2+
1 833.68 грн
10+
1 830.50 грн
30+
1 762.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 28 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247™
Час готовності
300нс
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-120А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,04кВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
740нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,945 g