0 0 0
  8. IXTX210P10T

Транзистори з каналом P THT IXTX210P10T

 
IXTX210P10T
 
IXYS
Артикул: 141194
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -210А; 1040Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 933.70 грн
2+
1 828.92 грн
3+
1 828.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS247™(1692687)
Час готовності
200нс(1440083)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-210А(1643876)
Опір в стані провідності
7,5мОм(1441297)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,04кВт(1742092)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
740нКл(1743013)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,9 g
 
Транзистори з каналом P THT IXTX210P10T
IXYS
Артикул: 141194
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -210А; 1040Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 933.70 грн
2+
1 828.92 грн
3+
1 828.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247™
Час готовності
200нс
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-210А
Опір в стані провідності
7,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,04кВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
740нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,9 g