0 0 0
  7. IXXN110N65C4H1

Модулі IGBT IXXN110N65C4H1

 
IXXN110N65C4H1
 
IXYS
Артикул: 268849
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 881.11 грн
2+
1 779.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
110А(1500580)
Струм колектора в імпульсі
470А(1759286)
Потужність розсіювання
750Вт(1741815)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
XPT™(1746878) GenX3™(1746877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT IXXN110N65C4H1
IXYS
Артикул: 268849
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 881.11 грн
2+
1 779.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
650В
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
110А
Струм колектора в імпульсі
470А
Потужність розсіювання
750Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
XPT™
Технологія
GenX3™
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g