0 0 0
  7. IXXN200N60B3H1

Модулі IGBT IXXN200N60B3H1

 
IXXN200N60B3H1
 
IXYS
Артикул: 268851
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 497.07 грн
2+
2 361.05 грн
3+
2 360.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
98А(1500567)
Струм колектора в імпульсі
1кА(1750642)
Потужність розсіювання
780Вт(1741885)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
XPT™(1746878) GenX3™(1746877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT IXXN200N60B3H1
IXYS
Артикул: 268851
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 497.07 грн
2+
2 361.05 грн
3+
2 360.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
98А
Струм колектора в імпульсі
1кА
Потужність розсіювання
780Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
XPT™
Технологія
GenX3™
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g