0 0 0
  7. IXXN200N65A4

Модулі IGBT IXXN200N65A4

 
IXXN200N65A4
 
IXYS
Артикул: 268853
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 505.89 грн
2+
1 423.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
200А(1441734)
Струм колектора в імпульсі
1,2кА(1750610)
Потужність розсіювання
1,25кВт(1702376)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
XPT™(1746878) GenX4™(1746881)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT IXXN200N65A4
IXYS
Артикул: 268853
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 505.89 грн
2+
1 423.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
650В
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
200А
Струм колектора в імпульсі
1,2кА
Потужність розсіювання
1,25кВт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
XPT™
Технологія
GenX4™
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g