0 0 0
  7. IXYN30N170CV1

Модулі IGBT IXYN30N170CV1

 
IXYN30N170CV1
 
IXYS
Артикул: 268862
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 614.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,7кВ(1441074)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
30А(1440984)
Струм колектора в імпульсі
275А(1750686)
Потужність розсіювання
680Вт(1743046)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
XPT™(1746878)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT IXYN30N170CV1
IXYS
Артикул: 268862
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 614.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,7кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
30А
Струм колектора в імпульсі
275А
Потужність розсіювання
680Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
XPT™
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g