Транзистори IGBT SMD IXYT30N65C3H1HV

 
IXYT30N65C3H1HV
 
Артикул: 357089
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 30А; 270Вт; TO268HV
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
938.68 грн
2+
670.14 грн
5+
633.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
30А(1440984)
Струм колектора в імпульсі
118А(1750659)
Час ввімкнення
59нс(1751524)
Час вимкнення
0,12мкс(1897328)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
270Вт(1740763)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
44нКл(1479001)
Технологія
Sonic FRD™(1738262) Planar(1712978) XPT™(1746878) GenX3™(1746877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори IGBT SMD IXYT30N65C3H1HV
IXYS
Артикул: 357089
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 30А; 270Вт; TO268HV
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
938.68 грн
2+
670.14 грн
5+
633.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
30А
Струм колектора в імпульсі
118А
Час ввімкнення
59нс
Час вимкнення
0,12мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
270Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
44нКл
Технологія
Sonic FRD™
Технологія
Planar
Технологія
XPT™
Технологія
GenX3™
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g