0 0 0
  7. MCNA120UI2200TED

Модулі IGBT MCNA120UI2200TED

 
MCNA120UI2200TED
 
IXYS
Артикул: 372706
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
9 559.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
E2-Pack(1593192)
Зворотна напруга макс.
1,7кВ(1441074)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
80А(1441762)
Струм колектора в імпульсі
150А(1441723)
Використання
інвертор(1612514)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топологія
boost chopper(1712523) термістор NTC(1612513) 3-phase diode-thyristor bridge(1788805)
Додаткова інформація: Маса брутто: 10 g
 
Модулі IGBT MCNA120UI2200TED
IXYS
Артикул: 372706
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
9 559.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
E2-Pack
Зворотна напруга макс.
1,7кВ
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
80А
Струм колектора в імпульсі
150А
Використання
інвертор
Потужність розсіювання
190Вт
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Топологія
boost chopper
Топологія
термістор NTC
Топологія
3-phase diode-thyristor bridge
Додаткова інформація: Маса брутто: 10 g