0 0 0
  7. MII100-12A3

Модули IGBT MII100-12A3

 
MII100-12A3
 
IXYS
Артикул: 372723
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 044.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
Y4-M5(1708308)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
90А(1478934)
Струм колектора в імпульсі
150А(1441723)
Використання
3-фазні двигуни BLDC(1492838) фотоелектрика(1827405)
Потужність розсіювання
560Вт(1742076)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
NPT(1714552)
Топологія
півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 10 g
 
Модули IGBT MII100-12A3
IXYS
Артикул: 372723
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 044.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
Y4-M5
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
90А
Струм колектора в імпульсі
150А
Використання
3-фазні двигуни BLDC
Використання
фотоелектрика
Потужність розсіювання
560Вт
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
NPT
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 10 g