Модулі IGBT MKI100-12F8

 
MKI100-12F8
 
Артикул: 268882
Модуль: IGBT; діод/транзистор; місток H; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
12 438.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
IXYS(39)
Корпус
E3-Pack(1791009)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
125А(1441726)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Потужність розсіювання
640Вт(1748243)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
HiPerFRED™(1738383) NPT(1714552)
Топологія
місток H(1612556)
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g
 
Модулі IGBT MKI100-12F8
IXYS
Артикул: 268882
Модуль: IGBT; діод/транзистор; місток H; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
12 438.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
E3-Pack
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
125А
Струм колектора в імпульсі
200А
Потужність розсіювання
640Вт
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
HiPerFRED™
Технологія
NPT
Топологія
місток H
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g