0 0 0
  8. MMIX1F160N30T

Транзисторы с каналом N SMD MMIX1F160N30T

 
MMIX1F160N30T
 
IXYS
Артикул: 374128
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 300В; 102А; Idm: 440А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 932.43 грн
20+
2 874.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 20 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Час готовності
200нс(1440083)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
102А(1625139)
Опір в стані провідності
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
570Вт(1741745)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
367нКл(1792107)
Технологія
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) Trench™(1743125)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
440А(1792106)
Додаткова інформація: Маса брутто: 8,15 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMIX1F160N30T
IXYS
Артикул: 374128
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 300В; 102А; Idm: 440А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 932.43 грн
20+
2 874.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 20 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Час готовності
200нс
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
102А
Опір в стані провідності
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
570Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
367нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
GigaMOS™
Технологія
Trench™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
440А
Додаткова інформація: Маса брутто: 8,15 g