0 0 0
  8. MMIX1F360N15T2

Транзистори з каналом N SMD MMIX1F360N15T2

 
MMIX1F360N15T2
 
IXYS
Артикул: 374132
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 150В; 235А; Idm: 900А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 030.73 грн
20+
2 974.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Час готовності
150нс(1440082)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
235А(1492458)
Опір в стані провідності
4,4мОм(1479260)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
680Вт(1743046)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
715нКл(1743035)
Технологія
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) TrenchT2™(1743041)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
900А(1714537)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N SMD MMIX1F360N15T2
IXYS
Артикул: 374132
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 150В; 235А; Idm: 900А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 030.73 грн
20+
2 974.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Час готовності
150нс
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
235А
Опір в стані провідності
4,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
680Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
715нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
GigaMOS™
Технологія
TrenchT2™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
900А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g