0 0 0
  8. MMIX1F420N10T

Транзистори з каналом N SMD MMIX1F420N10T

 
MMIX1F420N10T
 
IXYS
Артикул: 374134
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 100В; 334А; Idm: 1кА; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 030.73 грн
20+
2 974.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Час готовності
140нс(1743126)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
334А(1792108)
Опір в стані провідності
2,6мОм(1479581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
680Вт(1743046)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
670нКл(1743037)
Технологія
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) Trench™(1743125)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1кА(1758572)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N SMD MMIX1F420N10T
IXYS
Артикул: 374134
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 100В; 334А; Idm: 1кА; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 030.73 грн
20+
2 974.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Час готовності
140нс
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
334А
Опір в стані провідності
2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
680Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
670нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
GigaMOS™
Технологія
Trench™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1кА
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g