0 0 0
  8. MMIX1G120N120A3V1

Транзистори IGBT SMD MMIX1G120N120A3V1

 
MMIX1G120N120A3V1
 
IXYS
Артикул: 220595
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 228.25 грн
20+
4 159.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
105А(1590108)
Струм колектора в імпульсі
700А(1750620)
Час ввімкнення
105нс(1750821)
Час вимкнення
1365нс(1751713)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
400Вт(1700319)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
420нКл(1711582)
Технологія
BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g
 
Транзистори IGBT SMD MMIX1G120N120A3V1
IXYS
Артикул: 220595
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 228.25 грн
20+
4 159.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
105А
Струм колектора в імпульсі
700А
Час ввімкнення
105нс
Час вимкнення
1365нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
400Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
420нКл
Технологія
BiMOSFET™
Технологія
GenX3™
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g