0 0 0
  8. MMIX1X100N60B3H1

Транзистори IGBT SMD MMIX1X100N60B3H1

 
MMIX1X100N60B3H1
 
IXYS
Артикул: 220597
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 719.59 грн
2+
1 625.30 грн
20+
1 596.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
68А(1750818)
Струм колектора в імпульсі
440А(1750630)
Час ввімкнення
92с(1750819)
Час вимкнення
350нс(1702065)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
400Вт(1700319)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
143нКл(1479555)
Технологія
XPT™(1746878) BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g
 
Транзистори IGBT SMD MMIX1X100N60B3H1
IXYS
Артикул: 220597
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 719.59 грн
2+
1 625.30 грн
20+
1 596.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
68А
Струм колектора в імпульсі
440А
Час ввімкнення
92с
Час вимкнення
350нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
400Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
143нКл
Технологія
XPT™
Технологія
BiMOSFET™
Технологія
GenX3™
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g