0 0 0
  8. MMIX1X200N60B3

Транзистори IGBT SMD MMIX1X200N60B3

 
MMIX1X200N60B3
 
IXYS
Артикул: 220598
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 634.62 грн
20+
2 582.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
120А(1492079)
Струм колектора в імпульсі
1кА(1750642)
Час ввімкнення
140нс(1441671)
Час вимкнення
395нс(1751506)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
315нКл(1750634)
Технологія
XPT™(1746878) BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g
 
Транзистори IGBT SMD MMIX1X200N60B3
IXYS
Артикул: 220598
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 634.62 грн
20+
2 582.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
120А
Струм колектора в імпульсі
1кА
Час ввімкнення
140нс
Час вимкнення
395нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
625Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
315нКл
Технологія
XPT™
Технологія
BiMOSFET™
Технологія
GenX3™
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g