0 0 0
  8. MMIX1X340N65B4

Транзистори IGBT SMD MMIX1X340N65B4

 
MMIX1X340N65B4
 
IXYS
Артикул: 220600
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 054.29 грн
20+
3 009.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
295А(1751576)
Струм колектора в імпульсі
1,2кА(1750610)
Час ввімкнення
119нс(1751577)
Час вимкнення
346нс(1751578)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
1,2кВт(1750657)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
553нКл(1750652)
Технологія
XPT™(1746878) BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g
 
Транзистори IGBT SMD MMIX1X340N65B4
IXYS
Артикул: 220600
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 054.29 грн
20+
3 009.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
295А
Струм колектора в імпульсі
1,2кА
Час ввімкнення
119нс
Час вимкнення
346нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
1,2кВт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
553нКл
Технологія
XPT™
Технологія
BiMOSFET™
Технологія
GenX3™
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g