0 0 0
  8. MMIX1Y100N120C3H1

Транзистори IGBT SMD MMIX1Y100N120C3H1

 
MMIX1Y100N120C3H1
 
IXYS
Артикул: 220601
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 963.87 грн
20+
2 922.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
40А(1440987)
Струм колектора в імпульсі
440А(1750630)
Час ввімкнення
122нс(1750825)
Час вимкнення
265нс(1751685)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
400Вт(1700319)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,27мкКл(1950540)
Технологія
XPT™(1746878) BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g
 
Транзистори IGBT SMD MMIX1Y100N120C3H1
IXYS
Артикул: 220601
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 963.87 грн
20+
2 922.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
40А
Струм колектора в імпульсі
440А
Час ввімкнення
122нс
Час вимкнення
265нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
400Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,27мкКл
Технологія
XPT™
Технологія
BiMOSFET™
Технологія
GenX3™
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g