0 0 0
  8. MMIX4G20N250

Транзистори IGBT SMD MMIX4G20N250

 
MMIX4G20N250
 
IXYS
Артикул: 220603
Транзистор: IGBT x4; 2,5кВ; 4А; 100Вт; SMPD; Топологія: місток H
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 455.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напруги колектор-емітер
2,5кВ(1733707)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
4А(1440913)
Струм колектора в імпульсі
105А(1694421)
Час ввімкнення
217нс(1750693)
Час вимкнення
1,066мкс(1750694)
Тип транзистора
IGBT x4(1941656)
Потужність розсіювання
100Вт(1701916)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
53нКл(1479049)
Топологія
місток H(1612556)
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g
 
Транзистори IGBT SMD MMIX4G20N250
IXYS
Артикул: 220603
Транзистор: IGBT x4; 2,5кВ; 4А; 100Вт; SMPD; Топологія: місток H
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 455.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напруги колектор-емітер
2,5кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
4А
Струм колектора в імпульсі
105А
Час ввімкнення
217нс
Час вимкнення
1,066мкс
Тип транзистора
IGBT x4
Потужність розсіювання
100Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
53нКл
Топологія
місток H
Додаткова інформація: Маса брутто: 8 g