0 0 0
  7. VVZB170-16IOXT

Модулі IGBT VVZB170-16IOXT

 
VVZB170-16IOXT
 
IXYS
Артикул: 372826
Модуль: IGBT; діод/тиристор/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 146.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
E2-Pack(1593192)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
diode/thyristor/IGBT(1788743)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
140А(1478938)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Використання
інвертор(1612514)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
X2PT(1791011)
Топологія
boost chopper(1712523) термістор NTC(1612513) 3-phase diode-thyristor bridge(1788805)
Додаткова інформація: Маса брутто: 10 g
 
Модулі IGBT VVZB170-16IOXT
IXYS
Артикул: 372826
Модуль: IGBT; діод/тиристор/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 146.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
E2-Pack
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
diode/thyristor/IGBT
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
140А
Струм колектора в імпульсі
300А
Використання
інвертор
Потужність розсіювання
500Вт
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
X2PT
Топологія
boost chopper
Топологія
термістор NTC
Топологія
3-phase diode-thyristor bridge
Додаткова інформація: Маса брутто: 10 g