0 0 0
  8. LSIC1MO170E0750

Транзистори з каналом N THT LSIC1MO170E0750

 
LSIC1MO170E0750
 
LITTELFUSE
Артикул: 842424
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 4,4А; Idm: 11А; 60Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
542.66 грн
3+
374.22 грн
8+
354.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LITTELFUSE(454)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,7кВ(1593807)
Струм стока
4,4А(1441573)
Опір в стані провідності
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
11А(1801431)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT LSIC1MO170E0750
LITTELFUSE
Артикул: 842424
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 4,4А; Idm: 11А; 60Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
542.66 грн
3+
374.22 грн
8+
354.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LITTELFUSE
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,7кВ
Струм стока
4,4А
Опір в стані провідності
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
13нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
11А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g