0 0 0
  7. MCR8DSNT4G

Тиристори SMD/THT MCR8DSNT4G

 
MCR8DSNT4G
 
LITTELFUSE
Артикул: 501120
Тиристор; 800В; Ifмакс: 8А; 5,1А; Igt: 12мА; DPAK; SMD; ролик,cтрічка
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
75.41 грн
5+
56.68 грн
24+
42.07 грн
66+
39.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2494 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
LITTELFUSE(454)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Зворотна напруга макс.
0,8кВ(1644523)
Струм провідності макс.
8А(1440151)
Струм провідності
5,1А(1744409)
Струм вентиля
12мА(1873963)
Струм в імпульсі макс.
90А(1440669)
Час ввімкнення
2мкс(1444590)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
glass passivated(1617588)
Type of thyristor
тиристор(1854718)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,332 g
 
Тиристори SMD/THT MCR8DSNT4G
LITTELFUSE
Артикул: 501120
Тиристор; 800В; Ifмакс: 8А; 5,1А; Igt: 12мА; DPAK; SMD; ролик,cтрічка
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
75.41 грн
5+
56.68 грн
24+
42.07 грн
66+
39.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2494 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
LITTELFUSE
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Зворотна напруга макс.
0,8кВ
Струм провідності макс.
8А
Струм провідності
5,1А
Струм вентиля
12мА
Струм в імпульсі макс.
90А
Час ввімкнення
2мкс
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
glass passivated
Type of thyristor
тиристор
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,332 g