0 0 0
  8. LGE3M14120Q

Транзистори з каналом N THT LGE3M14120Q

 
LGE3M14120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966287
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 641.66 грн
450+
3 620.02 грн
900+
3 501.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
108А(1492245)
Опір в стані провідності
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
230нКл(1694419)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-4...18В(1981581)
Струм стоку в імпульсі
340А(1758575)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT LGE3M14120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966287
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 641.66 грн
450+
3 620.02 грн
900+
3 501.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
108А
Опір в стані провідності
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
625Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
230нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-4...18В
Струм стоку в імпульсі
340А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g