0 0 0
  8. LGE3M160120E

Транзистори з каналом N SMD LGE3M160120E

 
LGE3M160120E
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 982846
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
727.12 грн
2+
515.97 грн
5+
515.18 грн
6+
487.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,285Ом(1638681)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
127Вт(1741937)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
38А(1825889)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD LGE3M160120E
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 982846
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
727.12 грн
2+
515.97 грн
5+
515.18 грн
6+
487.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,285Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
127Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
42нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
38А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g