0 0 0
  8. LGE3M160120Q

Транзистори з каналом N THT LGE3M160120Q

 
LGE3M160120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966285
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
769.70 грн
2+
544.62 грн
3+
543.83 грн
6+
514.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,25Ом(1459322)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
138Вт(1740788)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
43нКл(1479408)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT LGE3M160120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966285
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
769.70 грн
2+
544.62 грн
3+
543.83 грн
6+
514.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
138Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
43нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g