0 0 0
  8. LGE3M20120Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M20120Q

 
LGE3M20120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975339
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 501.63 грн
2+
1 419.78 грн
450+
1 413.49 грн
900+
1 360.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
71А(1479421)
Опір в стані провідності
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
428Вт(1741827)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
254нКл(1705684)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M20120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975339
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 501.63 грн
2+
1 419.78 грн
450+
1 413.49 грн
900+
1 360.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
71А
Опір в стані провідності
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
428Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
254нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g