0 0 0
  8. LGE3M25120Q

Транзистори з каналом N THT LGE3M25120Q

 
LGE3M25120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975347
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 403.92 грн
2+
1 327.69 грн
450+
1 320.55 грн
900+
1 267.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
54нКл(1479413)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT LGE3M25120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975347
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 403.92 грн
2+
1 327.69 грн
450+
1 320.55 грн
900+
1 267.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
54нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g