0 0 0
  8. LGE3M28065Q

Транзистори з каналом N THT LGE3M28065Q

 
LGE3M28065Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975345
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 310.97 грн
3+
1 239.46 грн
450+
1 237.87 грн
900+
1 192.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
67А(1479415)
Опір в стані провідності
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
326Вт(1741821)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
163нКл(1610054)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-4...18В(1981581)
Струм стоку в імпульсі
211А(1936763)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT LGE3M28065Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975345
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 310.97 грн
3+
1 239.46 грн
450+
1 237.87 грн
900+
1 192.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
67А
Опір в стані провідності
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
326Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
163нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-4...18В
Струм стоку в імпульсі
211А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g