0 0 0
  8. LGE3M30065B

Транзистори з каналом N THT LGE3M30065B

 
LGE3M30065B
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975346
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 250.60 грн
3+
1 182.10 грн
450+
1 173.34 грн
900+
1 127.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
64А(1479412)
Опір в стані провідності
55мОм(1441323)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
326Вт(1741821)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
147нКл(1609953)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
212А(1758520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT LGE3M30065B
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975346
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 250.60 грн
3+
1 182.10 грн
450+
1 173.34 грн
900+
1 127.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
64А
Опір в стані провідності
55мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
326Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
147нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
212А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g