LUGUANG ELECTRONIC
Артикул:
966282
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:
уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Напруга сток-джерело
650В
Опір в стані провідності
45мОм
Потужність розсіювання
300Вт
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
170А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g