0 0 0
  8. LGE3M35065Q

Транзистори з каналом N THT LGE3M35065Q

 
LGE3M35065Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975338
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 159.99 грн
3+
1 096.52 грн
450+
1 093.34 грн
900+
1 055.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
55мОм(1441323)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...18В(2001595)
Струм стоку в імпульсі
130А(1758596)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT LGE3M35065Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975338
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 159.99 грн
3+
1 096.52 грн
450+
1 093.34 грн
900+
1 055.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
55мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
30нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...18В
Струм стоку в імпульсі
130А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g