0 0 0
  8. LGE3M40120Q

Транзистори з каналом N THT LGE3M40120Q

 
LGE3M40120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966290
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 139.10 грн
3+
1 077.19 грн
450+
1 070.84 грн
900+
1 035.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
39А(1479333)
Опір в стані провідності
69мОм(1632985)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
145нКл(1636390)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
117А(1799525)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT LGE3M40120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966290
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 139.10 грн
3+
1 077.19 грн
450+
1 070.84 грн
900+
1 035.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
39А
Опір в стані провідності
69мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
145нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
117А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g