0 0 0
  8. LGE3M50120Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M50120Q

 
LGE3M50120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966283
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 315.89 грн
2+
928.68 грн
3+
877.53 грн
450+
875.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
43А(1479345)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
344Вт(1999415)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
145А(1851125)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M50120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966283
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 315.89 грн
2+
928.68 грн
3+
877.53 грн
450+
875.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
43А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
344Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
0,12мкКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
145А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g