0 0 0
  8. LGE3M70120Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M70120Q

 
LGE3M70120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975341
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 158.49 грн
2+
816.14 грн
4+
772.07 грн
30+
771.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
27А(1441591)
Опір в стані провідності
0,122Ом(1780127)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
69нКл(1479387)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
85А(1823191)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M70120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975341
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 158.49 грн
2+
816.14 грн
4+
772.07 грн
30+
771.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
27А
Опір в стані провідності
0,122Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
200Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
69нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
85А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g