0 0 0
  8. LGE3M80120B

Транзистори з каналом N THT LGE3M80120B

 
LGE3M80120B
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975340
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
953.67 грн
2+
646.14 грн
5+
610.29 грн
900+
609.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
0,129Ом(1790184)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
208Вт(1741773)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
76нКл(1479401)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT LGE3M80120B
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975340
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
953.67 грн
2+
646.14 грн
5+
610.29 грн
900+
609.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
0,129Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
208Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
76нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g