0 0 0
  8. LGE3M80120J

Транзисторы с каналом N SMD LGE3M80120J

 
LGE3M80120J
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 982851
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
942.06 грн
2+
664.24 грн
5+
627.25 грн
250+
624.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK-7(1479506)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
96мОм(1596073)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
136Вт(1740748)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
20,8нКл(1942389)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-3...15В(2001274)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD LGE3M80120J
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 982851
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
942.06 грн
2+
664.24 грн
5+
627.25 грн
250+
624.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK-7
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
96мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
136Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
20,8нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-3...15В
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g